Modern DRAM 输入验证错误漏洞

CVE编号

CVE-2020-10255

利用情况

暂无

补丁情况

N/A

披露时间

2020-03-11

漏洞描述

  Modern DRAM芯片中内部缓解措施（为防止RowHammer攻击）的部署存在输入验证错误漏洞。攻击者可利用该漏洞提升权限。以下产品及版本受到影响：SK Hynix DDR4 SDRAM；SK Hynix LPDDR4；Micron DDR4 SDRAM；Micron LPDDR4；Samsung DDR4 SDRAM；Samsung LPDDR4。

解决建议

建议您更新当前系统或软件至最新版，完成漏洞的修复。

参考链接
https://download.vusec.net/papers/trrespass_sp20.pdf
https://github.com/vusec/trrespass
https://thehackernews.com/2020/03/rowhammer-vulnerability-ddr4-dram.html
https://twitter.com/antumbral/status/1237425959407513600
https://twitter.com/vu5ec/status/1237399112590467072
https://www.vusec.net/projects/trrespass/

受影响软件情况

#	类型	厂商	产品	版本	影响面
1
	运行在以下环境
	硬件	micron	ddr4_sdram	-	-
	运行在以下环境
	硬件	micron	lpddr4	-	-
	运行在以下环境
	硬件	samsung	ddr4	-	-
	运行在以下环境
	硬件	samsung	lpddr4	-	-
	运行在以下环境
	硬件	skhynix	ddr4_sdram	-	-
	运行在以下环境
	硬件	skhynix	lpddr4	-	-

CVSS3评分 9.0

• 攻击路径 网络
• 攻击复杂度 高
• 权限要求 无
• 影响范围 已更改
• 用户交互 无
• 可用性 高
• 保密性 高
• 完整性 高

CVSS:3.1/AV:N/AC:H/PR:N/UI:N/S:C/C:H/I:H/A:H CWE-ID 漏洞类型 CWE-20 输入验证不恰当